Для технологического обеспечения и реализации перспективного стандарта связи 6G группа консолидировала усилия на развитии технологии изготовления монолитных интегральных схем в диапазоне частот от 100 ГГц и выше на полупроводниковых материалах A3B5. Интегральные A3B5 технологии наиболее часто используются при построении аналогового тракта приёмо-передающего устройства, выполненного на одном кристалле терагерцовой монолитной интегральной схемы. В качестве активного элемента используется транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT), обладающий наибольшим среди активных элементов быстродействием. Группой разработан перечень активных и пассивных элементов терагерцовых монолитных интегральных схем для обеспечения возможности проектирования функциональных блоков приёмо-передающего модуля в диапазоне частот от 100 ГГц и выше на основе GaAs, GaN и InP, включая усилители и преобразователи частоты (смесители, умножители, детекторы, модуляторы, демодуляторы).